Transistor IGBT FGH40N60
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FGH40N60. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Descripción
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.
Figura I.
Figura II.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Colector-Emisor (Vce0) | 600V |
| Corriente de Colector (IC) | 40 A |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 290 W |
Aplicaciones
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de Fairchild ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversores solares, UPS, soldadores, hornos microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.
Fuentes
- www.alldatasheet.com
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
