Diferencia entre revisiones de «Transistor BD132»
| (No se muestra una edición intermedia de otro usuario) | |||
| Línea 13: | Línea 13: | ||
*Amplificador de Audio de alta potencia | *Amplificador de Audio de alta potencia | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 4 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 4 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 80 Voltios |
*De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | ||
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 20 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 20 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 60* (Watts) |
*Frecuencia MHz 2.5 Min | *Frecuencia MHz 2.5 Min | ||
| + | |||
== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
| Línea 31: | Línea 32: | ||
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 10:22 31 ago 2012
| ||||||||
BD132. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Sumario
Partes que lo componen
Es un transistor amplificador de audio con una corriente máxima de colector de 4 amperes, está compuesto por una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de Audio de alta potencia
- Corriente máxima de colector (Ic) 4 Ampere
- De colector a base (CBO) 80 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 20 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 60* (Watts)
- Frecuencia MHz 2.5 Min
Transistores equivalentes
- BD576, BD578, BD580, BD586, BD588, BD590.
Posición en el diagrama
- Inciso (a)
Usos
- Amplificadores de audio de alta potencia.
- Salidas de audio
- Fuentes de voltaje
- Equipos de medicina
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
