Diferencia entre revisiones de «Transistor C1758»
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Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | ||
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En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | ||
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== Características == | == Características == | ||
*Polaridad (N-P-N) | *Polaridad (N-P-N) | ||
*Amplificador de audio y video | *Amplificador de audio y video | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 300 Voltios |
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*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 30 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 30 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 6.25* (Watts) |
*Frecuencia MHz 50Min | *Frecuencia MHz 50Min | ||
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== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
| − | * | + | *C1758-L, C1758-M, C1758-N |
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== Usos == | == Usos == | ||
| − | *Equipos de medicina | + | *Equipos de [[medicina]] |
| − | *Amplificadores de potencia media | + | *[[Amplificadores]] de potencia media |
*Equipos informáticos | *Equipos informáticos | ||
| − | *La radio | + | *La [[radio]] |
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
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última versión al 14:30 31 ago 2012
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C1758 . Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de audio y video
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 Ampere
- De colector a base (CBO) 300 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 300 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 30 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 6.25* (Watts)
- Frecuencia MHz 50Min
Transistores equivalentes
- C1758-L, C1758-M, C1758-N
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de potencia media
- Equipos informáticos
- La radio
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
