Diferencia entre revisiones de «Transistor KC2331»
(Página creada con ' {{Ficha Hardware | nombre = KC2331 | imagen = | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bande...') |
|||
| (No se muestran 4 ediciones intermedias de 4 usuarios) | |||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
| − | |||
{{Ficha Hardware | {{Ficha Hardware | ||
| − | | nombre = KC2331 | + | | nombre = Transistor KC2331 |
| − | | imagen = | + | | imagen = Diagram_413.jpg |
| pie = [[Transistor]]. | | pie = [[Transistor]]. | ||
| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. | ||
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | ||
}}<div align=justify> | }}<div align=justify> | ||
| − | ''' KC2331'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. | + | '''Transistor KC2331'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. |
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | ||
| Línea 17: | Línea 16: | ||
*Amplificador de propósito general | *Amplificador de propósito general | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 1 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 1 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 100 Voltios |
*De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | ||
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 50 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 50 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 2* (Watts) |
*Frecuencia MHz 150 Min | *Frecuencia MHz 150 Min | ||
| + | |||
== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*KC2331, KC2331-O, KC2331Y | *KC2331, KC2331-O, KC2331Y | ||
== Usos == | == Usos == | ||
| − | * Este es utilizado en amplificadores de frecuencia, equipos de medicina, equipos informáticos, la radio y otros. | + | * Este es utilizado en [[amplificadores]] de frecuencia, equipos de [[medicina]], equipos informáticos, la [[radio]] y otros. |
| − | == | + | |
| + | == Fuentes == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 17:08 31 ago 2012
| ||||||||
Transistor KC2331. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de propósito general
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 2* (Watts)
- Frecuencia MHz 150 Min
Transistores equivalentes
- KC2331, KC2331-O, KC2331Y
Usos
- Este es utilizado en amplificadores de frecuencia, equipos de medicina, equipos informáticos, la radio y otros.
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
