Diferencia entre revisiones de «Transistor KC940»
(→Usos) |
|||
| (No se muestra una edición intermedia de otro usuario) | |||
| Línea 16: | Línea 16: | ||
*Alto voltaje | *Alto voltaje | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 10 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 10 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 800 Voltios |
*De colector a [[emisor]] (CEO) 325 Voltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 325 Voltios | ||
*De emisor a base (EBO) 8 Voltios | *De emisor a base (EBO) 8 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 10 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 10 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 6 (Watts) |
*Frecuencia MHz 6 Min | *Frecuencia MHz 6 Min | ||
| + | |||
== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*KC940, KC940N, KC940R | *KC940, KC940N, KC940R | ||
| Línea 27: | Línea 28: | ||
*Este tiene un amplio uso en [[amplificadores]] de [[audio]], equipos de [[medicina]], equipos informáticos y es comercializado por algunos países | *Este tiene un amplio uso en [[amplificadores]] de [[audio]], equipos de [[medicina]], equipos informáticos y es comercializado por algunos países | ||
| − | == | + | == Fuentes == |
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 17:10 31 ago 2012
| ||||||||
KC940. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un transistor de alto voltaje con una potencia de disipación en el colector de 6 watts, además consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Alto voltaje
- Corriente máxima de colector (Ic) 10 Ampere
- De colector a base (CBO) 800 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 325 Voltios
- De emisor a base (EBO) 8 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 10 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 6 (Watts)
- Frecuencia MHz 6 Min
Transistores equivalentes
- KC940, KC940N, KC940R
Usos
- Este tiene un amplio uso en amplificadores de audio, equipos de medicina, equipos informáticos y es comercializado por algunos países
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.