Diferencia entre revisiones de «IRFZ10»
| Línea 12: | Línea 12: | ||
== Principales características == | == Principales características == | ||
| − | <div align= | + | <div align=left> |
{| class="wikitable" border="1" | {| class="wikitable" border="1" | ||
|- | |- | ||
| Línea 23: | Línea 23: | ||
|- | |- | ||
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID) | |[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID) | ||
| − | | | + | |10 A |
|- | |- | ||
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | |[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | ||
| 0.20Ω Máx | | 0.20Ω Máx | ||
|- | |- | ||
| − | |[[Potencia]] Total de Disipación ( PD) | + | |[[Potencia]] Total de Disipación ( PD) |
|43W | |43W | ||
|} | |} | ||
| Línea 61: | Línea 61: | ||
== Fuentes == | == Fuentes == | ||
| + | *[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/143719/IRF/IRFZ10.html] | ||
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE | *MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE | ||
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] | ||
Revisión del 10:58 12 jun 2015
| ||
MOSFET IRFZ10. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
Sumario
Descripción
Este tipo de componente de tercera generación HEXFETs es fabricado por la International Rectifier entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) | 60V |
| Corriente de Drenador (ID) | 10 A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.20Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 43W |
Fabricantes
| Fabricantes | Logo |
|---|---|
| International Rectifier | |
| New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. | |
| Vishay Siliconix |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
Enlaces externos
Fuentes
- [1]
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
