Diferencia entre revisiones de «Transistor C1664R»
| Línea 1: | Línea 1: | ||
{{Ficha Hardware | {{Ficha Hardware | ||
| nombre = C1664R | | nombre = C1664R | ||
| − | | imagen = | + | | imagen = Transistor_2N.jpeg |
| − | | pie = | + | | pie = Transistor. |
| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. | ||
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}} y otros países. | | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}} y otros países. | ||
| Línea 9: | Línea 9: | ||
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | ||
| + | |||
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | ||
| + | |||
== Características == | == Características == | ||
*Polaridad (N-P-N) | *Polaridad (N-P-N) | ||
| Línea 19: | Línea 21: | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 3000 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 3000 Min | ||
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 50 (Watts) | *Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 50 (Watts) | ||
| − | *Frecuencia MHz | + | *Frecuencia MHz |
| + | |||
== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*C1663H | *C1663H | ||
| + | |||
== Usos == | == Usos == | ||
*Equipos de medicina | *Equipos de medicina | ||
| Línea 27: | Línea 31: | ||
*Equipos informáticos | *Equipos informáticos | ||
*La radio | *La radio | ||
| + | |||
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
[[Category: Electrónica]] | [[Category: Electrónica]] | ||
Revisión del 11:56 12 sep 2011
| ||||||||
C1664R . Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Darlington Pwr Amp Switch
- Corriente máxima de colector (Ic) 4 Ampere
- De colector a base (CBO) 80 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 3000 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 50 (Watts)
- Frecuencia MHz
Transistores equivalentes
- C1663H
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores
- Equipos informáticos
- La radio
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
