Diferencia entre revisiones de «Transistor KC2331»
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| − | ''' KC2331'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. | + | '''Transistor KC2331'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. |
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Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | ||
Revisión del 09:36 15 sep 2011
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Transistor KC2331. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un amplificador de propósito genera y posee una corriente máxima de 1 ampere, consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de propósito general
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 2* (Watts)
- Frecuencia MHz 150 Min
Transistores equivalentes
- KC2331, KC2331-O, KC2331Y
Usos
- Este es utilizado en amplificadores de frecuencia, equipos de medicina, equipos informáticos, la radio y otros.
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
