Diferencia entre revisiones de «Mosfet IRF840»
(→Fabricantes) |
|||
| (No se muestran 9 ediciones intermedias de 2 usuarios) | |||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
| − | |||
{{Objeto|nombre=MOSFET IRF840 | {{Objeto|nombre=MOSFET IRF840 | ||
| − | |imagen= | + | |imagen=IRF840.jpeg |
|tamaño=150px | |tamaño=150px | ||
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación. | |descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación. | ||
| Línea 8: | Línea 7: | ||
'''MOSFET IRF840'''.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. | '''MOSFET IRF840'''.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. | ||
== Descripción == | == Descripción == | ||
| − | Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura se muestra su distribución de pines y estructura interna. | + | [[Image:ExtIRF840.jpeg|thumb|Right|150px|Figura I.]] |
| + | Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna. | ||
| + | |||
| + | |||
| + | |||
| + | |||
| + | |||
== Principales características == | == Principales características == | ||
<div align=center> | <div align=center> | ||
| Línea 31: | Línea 36: | ||
|N | |N | ||
|} | |} | ||
| − | == Fabricantes == | + | === Fabricantes === |
{| class="wikitable" border="1" | {| class="wikitable" border="1" | ||
|- | |- | ||
| Línea 44: | Línea 49: | ||
|- | |- | ||
|[[STMicroelectronics]] | |[[STMicroelectronics]] | ||
| − | |[[Image: | + | |[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]] |
|- | |- | ||
|[[Samsung semiconductor]] | |[[Samsung semiconductor]] | ||
|[[Image:SAMSUNG.GIF|thumb|center|150px]] | |[[Image:SAMSUNG.GIF|thumb|center|150px]] | ||
| + | |- | ||
| + | |[[Fairchild Semiconductor]] | ||
| + | |[[Image:FAIRCHILD.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|- | |- | ||
|[[International Rectifier]] | |[[International Rectifier]] | ||
| Línea 61: | Línea 69: | ||
|[[Image:ISC.GIF|thumb|center|150px]] | |[[Image:ISC.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|} | |} | ||
| + | <div align=left> | ||
| + | |||
== Aplicaciones == | == Aplicaciones == | ||
| − | |||
*Reguladores conmutados | *Reguladores conmutados | ||
*Convertidores de conmutación | *Convertidores de conmutación | ||
| Línea 74: | Línea 83: | ||
*[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/52972/FAIRCHILD/IRF840 alldatasheet.com] | *[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/52972/FAIRCHILD/IRF840 alldatasheet.com] | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 11:35 30 dic 2022
| ||||
MOSFET IRF840.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.
Sumario
Descripción
Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) | 800V |
| Corriente de Drenador (ID) | 5A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.850Ω |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 120W |
| Canal | N |
Fabricantes
Aplicaciones
- Reguladores conmutados
- Convertidores de conmutación
- Controladores de motor
- Conductores de relevo
