Diferencia entre revisiones de «Mosfet IRF840»
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'''MOSFET IRF840'''.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. | '''MOSFET IRF840'''.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica. | ||
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| − | Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura se muestra su distribución de pines y estructura interna. | + | [[Image:ExtIRF840.jpeg|thumb|Right|150px|Figura I.]] |
| + | Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna. | ||
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última versión al 11:35 30 dic 2022
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MOSFET IRF840.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.
Sumario
Descripción
Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) | 800V |
| Corriente de Drenador (ID) | 5A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.850Ω |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 120W |
| Canal | N |
Fabricantes
Aplicaciones
- Reguladores conmutados
- Convertidores de conmutación
- Controladores de motor
- Conductores de relevo
