Diferencia entre revisiones de «Transistor BD138»

(Usos y aplicaciones)
 
(No se muestran 7 ediciones intermedias de 4 usuarios)
Línea 1: Línea 1:
 
<div align=justify>
 
<div align=justify>
 
{{Ficha Hardware
 
{{Ficha Hardware
 
+
|nombre = BD138
| nombre = BD138
+
|imagen = BD138.jpg
 
+
|pie = Transistor bipolar PNP, Pines y Simbología
| imagen = BD138.JPG
+
|conn1 = A otros componentes electrónicos.  
 
+
|manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}},
| pie = [[Transistor bipolar PNP, Pines y Simbología]]
 
 
 
| conn1 = A otros componentes electrónicos.  
 
 
 
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}},
 
 
{{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.  
 
{{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.  
 
+
}}<div align=justify>'''BD138'''. Transistor bipolar compuesto por [[silicio]] con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos.
}}<div align=justify>
 
 
 
'''BD138'''. Transistor bipolar compuesto por [[silicio]] con
 
un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos.
 
  
 
== Partes que lo componen ==
 
== Partes que lo componen ==
  
 
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones
 
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones
consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman
+
consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, con la característica de que las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, y la región intermedia posee otro tipo de conductibilidad. Estas regiones son llamadas emisor, colector y base.  
dos uniones p-n-p, con la característica de que las dos regiones extremas
 
tienen un mismo tipo de conductibilidad, y la región intermedia posee otro tipo
 
de conductibilidad. Estas regiones son llamadas emisor, colector y base.  
 
  
 
== Características ==
 
== Características ==
Línea 38: Línea 26:
 
*Corriente de colector Ic: 1 [[Ampere]]  
 
*Corriente de colector Ic: 1 [[Ampere]]  
  
*De [[colector]] a [[base]] (CBO): 60 [[Voltios]]
+
*De colector a base (CBO): 60 Voltios
  
 
*De colector a [[emisor]] (CEO): 60 Voltios
 
*De colector a [[emisor]] (CEO): 60 Voltios
Línea 46: Línea 34:
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa. hfe: 40-160
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa. hfe: 40-160
  
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector Pd: 12.5 [[Watts]]
+
*Máxima disipación de potencia en colector Pd: 12.5 [[Watt]]
  
 
*Frecuencia de trabajo: 75 MHz
 
*Frecuencia de trabajo: 75 MHz
 
 
  
 
== Transistores equivalentes ==
 
== Transistores equivalentes ==
Línea 62: Línea 48:
 
== Usos y aplicaciones ==
 
== Usos y aplicaciones ==
  
*Audio
+
*[[Audio]]
  
*La radio  
+
*La [[radio]]
  
*Televisión  
+
*[[Televisión]]
  
*Equipos electrónicos de medicina  
+
*[[Equipos electrónicos]] de [[medicina]]
  
*Como complementarios en amplificadores
+
*Como complementarios en [[amplificadores]]
  
== Fuente ==
+
== Fuentes ==
  
 
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
 
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
Línea 78: Línea 64:
 
* Imagen de www.boyreparaciones.com
 
* Imagen de www.boyreparaciones.com
  
[[Category: Electrónica]]
+
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

última versión al 07:33 15 may 2015

BD138
Información sobre la plantilla
BD138.jpg
Transistor bipolar PNP, Pines y Simbología
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.
BD138. Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos.

Partes que lo componen

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, con la característica de que las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, y la región intermedia posee otro tipo de conductibilidad. Estas regiones son llamadas emisor, colector y base.

Características

  • Material: Silicio
  • Polaridad: P-N-P
  • Encapsulado: TO 126
  • Amplificador de audio, driver
  • Corriente de colector Ic: 1 Ampere
  • De colector a base (CBO): 60 Voltios
  • De colector a emisor (CEO): 60 Voltios
  • De emisor a base (EBO): 0.5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa. hfe: 40-160
  • Máxima disipación de potencia en colector Pd: 12.5 Watt
  • Frecuencia de trabajo: 75 MHz

Transistores equivalentes

Transistores complementarios

Usos y aplicaciones

Fuentes

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de www.boyreparaciones.com