Diferencia entre revisiones de «IRFZ10»
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última versión al 11:15 12 jun 2015
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MOSFET IRFZ10. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
Sumario
Descripción
Este tipo de componente de tercera generación HEXFETs es fabricado por la International Rectifier entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) | 60V |
| Corriente de Drenador (ID) | 10 A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.20Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 43W |
Fabricantes
| Fabricantes | Logo |
|---|---|
| International Rectifier | |
| New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. | |
| Vishay Siliconix |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
Enlaces externos
Fuentes
- alldatasheet.com
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
