Diferencia entre revisiones de «Transistor BD71»
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== Características == | == Características == | ||
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* RF-IF Amplificador y OSC | * RF-IF Amplificador y OSC | ||
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*De colector a [[emisor]] (CEO) 15 Voltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 15 Voltios | ||
*De emisor a base (EBO) 3 Voltios | *De emisor a base (EBO) 3 Voltios | ||
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*Frecuencia MHz 600 Min | *Frecuencia MHz 600 Min | ||
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*La radio | *La radio | ||
*Radio frecuencia y comunicación | *Radio frecuencia y comunicación | ||
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 09:15 21 mar 2013
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BD71. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- RF-IF Amplificador y OSC
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.05 Ampere
- De colector a base (CBO) 30 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 15 Voltios
- De emisor a base (EBO) 3 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 20 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.625 (Watts)
- Frecuencia MHz 600 Min
Usos
- La radio
- Radio frecuencia y comunicación
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
