Diferencia entre revisiones de «Transistor BD132»

 
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== Partes que lo componen ==
 
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Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
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Es un transistor amplificador de audio con una corriente máxima de colector de 4 amperes, está compuesto por una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
 
== Características ==
 
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*Polaridad (N-P-N)
 
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*Amplificador de Audio de alta potencia
 
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última versión al 11:22 31 ago 2012

BD132
Información sobre la plantilla
Diagram 11.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China y otros países.

BD132. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Es un transistor amplificador de audio con una corriente máxima de colector de 4 amperes, está compuesto por una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Amplificador de Audio de alta potencia
  • Corriente máxima de colector (Ic) 4 Ampere
  • De colector a base (CBO) 80 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 20 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 60* (Watts)
  • Frecuencia MHz 2.5 Min

Transistores equivalentes

  • BD576, BD578, BD580, BD586, BD588, BD590.

Posición en el diagrama

  • Inciso (a)

Usos

  • Amplificadores de audio de alta potencia.
  • Salidas de audio
  • Fuentes de voltaje
  • Equipos de medicina

Fuente

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.