Diferencia entre revisiones de «Transistor BD244»
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*Amplificador de potencia driver, Output, Sw | *Amplificador de potencia driver, Output, Sw | ||
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*De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios | ||
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 60 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 60 Min | ||
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*Frecuencia MHz 50 M | *Frecuencia MHz 50 M | ||
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 14:54 21 mar 2013
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BD244. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un amplificador de potencia driver, Output, Sw con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Posee una ganancia de disipación alta, por su demanda es utilizado en muchas ramas de la electrónica con buenas prestaciones.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- Amplificador de potencia driver, Output, Sw
- Corriente máxima de colector (Ic) 10 Ampere
- De colector a base (CBO) 80Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 60 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 50 (Watts)
- Frecuencia MHz 50 M
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de audio
- Fuentes de voltaje
- Otros equipos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.