Diferencia entre revisiones de «Transistor BD245»
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*Frecuencia MHz 3 M | *Frecuencia MHz 3 M | ||
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| + | *BD254A, 245B, BD246C, BD250, BD250A, BD250B, BD250C, BD258. | ||
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 15:39 21 mar 2013
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BD245. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un transistor amplificador de potencia de alta velocidad compuesto por tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Posee una alta potencia de disipación lo que permite que sus prestaciones sean importante en la gama de sonidos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de potencia y alta velocidad, Sw
- Corriente máxima de colector (Ic) 10 Ampere
- De colector a base (CBO) 100Voltios
- De colector a emisor (CEO) 100 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 40 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 80 (Watts)
- Frecuencia MHz 3 M
Transistores equivalentes
- BD254A, 245B, BD246C, BD250, BD250A, BD250B, BD250C, BD258.
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de audio
- Fuentes de voltaje
- Otros equipos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
