Diferencia entre revisiones de «Transistor BD246»
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== Características == | == Características == | ||
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| − | * | + | *BD246A, BD246B, BD246C, BD250, BD250A, BD250B, BD250C, BD258. |
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 15:48 21 mar 2013
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BD246. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un amplificador de potencia y alta velocidad, Sw compuesto por tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- Amplificador de potencia y alta velocidad, Sw
- Corriente máxima de colector (Ic) 25 Ampere
- De colector a base (CBO) 100Voltios
- De colector a emisor (CEO) 100 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 25 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 125* (Watts)
- Frecuencia MHz 3
Transistores equivalentes
- BD246A, BD246B, BD246C, BD250, BD250A, BD250B, BD250C, BD258.
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de audio
- Fuentes de voltaje
- Otros equipos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
