Diferencia entre revisiones de «Transistor BD170»
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== Características == | == Características == | ||
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 11:51 31 ago 2012
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BD170. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Es un amplificador de propósito general con una corriente máxima de colector de 10 amperes compuesto por una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- Amplificador de propósito general
- Corriente máxima de colector (Ic) 10 Ampere
- De colector a base (CBO) 70 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 20 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 90 (Watts)
- Frecuencia MHz 2 Min
Transistores equivalentes
- BD180, BD214-45, BD214/45, BD596, BD596, BD598, BD600, BD606, BD608.
Usos
- La radio
- Equipos de medicina
- Amplificadores de audio
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.