Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N33»
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| − | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | + | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. |
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En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | ||
== Características == | == Características == | ||
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*RF-IF Amp, TV, Radio | *RF-IF Amp, TV, Radio | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.2 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 0.2 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 25 Voltios |
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*De emisor a base (EBO) 1 Voltios | *De emisor a base (EBO) 1 Voltios | ||
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*Frecuencia MHz 250 Min | *Frecuencia MHz 250 Min | ||
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== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*2N247/33, 2N247, 2N248, 2N409, 2N499, 2N499A, 2N500, 2N501, 2N502, 2N504 | *2N247/33, 2N247, 2N248, 2N409, 2N499, 2N499A, 2N500, 2N501, 2N502, 2N504 | ||
== Usos == | == Usos == | ||
| − | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. | + | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de [[medicina]], amplificadores de [[potencia]] media, equipos informáticos, la [[radio]] y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. |
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 17:26 30 ago 2012
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2N33. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- RF-IF Amp, TV, Radio
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.2 Ampere
- De colector a base (CBO) 25 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 18 Voltios
- De emisor a base (EBO) 1 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 60 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.2 (Watts)
- Frecuencia MHz 250 Min
Transistores equivalentes
- 2N247/33, 2N247, 2N248, 2N409, 2N499, 2N499A, 2N500, 2N501, 2N502, 2N504
Usos
- Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales.
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
