Diferencia entre revisiones de «Transistor KC1008»

(Página creada con ' {{Ficha Hardware | nombre = KC1008 | imagen = | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bande...')
 
 
(No se muestran 5 ediciones intermedias de 4 usuarios)
Línea 1: Línea 1:
 
 
{{Ficha Hardware
 
{{Ficha Hardware
| nombre = KC1008
+
| nombre = Transistor KC1008
| imagen =  
+
| imagen = Diagram 413.jpg
 
| pie = [[Transistor]].
 
| pie = [[Transistor]].
 
| conn1 = A otros componentes electrónicos.  
 
| conn1 = A otros componentes electrónicos.  
Línea 8: Línea 7:
 
}}<div align=justify>
 
}}<div align=justify>
  
''' KC1008'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]].  
+
'''Transistor KC1008'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]].  
  
 
== Partes que lo componen ==
 
== Partes que lo componen ==
Línea 19: Línea 18:
 
*Salida de audio y video  
 
*Salida de audio y video  
 
*Corriente máxima de colector (Ic) 1  [[Ampere]]  
 
*Corriente máxima de colector (Ic) 1  [[Ampere]]  
*De [[colector]] a [[base]] (CBO) 100 Voltios  
+
*De colector a base (CBO) 100 Voltios  
 
*De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios
 
*De colector a [[emisor]] (CEO) 80 Voltios
 
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios
 
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 100 Min  
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 100 Min  
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 0.85 (Watts)
+
*Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.85 (Watts)
 
*Frecuencia MHz  50  Min
 
*Frecuencia MHz  50  Min
  
Línea 30: Línea 29:
  
 
== Usos ==
 
== Usos ==
*Amplificadores de audio
+
*Amplificadores de [[audio]]
 
*Equipos informáticos
 
*Equipos informáticos
*Sistemas de videos  
+
*Sistemas de [[video|videos]]
*La radio
+
*La [[radio]]
  
== Fuente ==
+
== Fuentes ==
 
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
 
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
 
* Imagen de Wikipedia.
 
* Imagen de Wikipedia.
[[Category: Electrónica]]
+
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

última versión al 16:17 31 ago 2012

Transistor KC1008
Información sobre la plantilla
Diagram 413.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

Transistor KC1008. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Es un transistor de salida de audio y video con una ganancia típica de corriente de 100 (hfe) y una frecuencia de 50 MHz, este consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Salida de audio y video
  • Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
  • De colector a base (CBO) 100 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 100 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.85 (Watts)
  • Frecuencia MHz 50 Min

Transistores equivalentes

  • KC1008-O, KC1008R, KC1008Y

Usos

Fuentes

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.