Diferencia entre revisiones de «Transistor C1983»
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Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | ||
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*Frecuencia MHz 15 | *Frecuencia MHz 15 | ||
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*C1983-O, C1983-O/Y, C1983O(TRANS), C1983Y, C1984(TRANS) | *C1983-O, C1983-O/Y, C1983O(TRANS), C1983Y, C1984(TRANS) | ||
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última versión al 14:44 31 ago 2012
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C1983. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- High Gain Swictch and Pass Regulator
- Corriente máxima de colector (Ic) 3 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 6 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 500 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 30* (Watts)
- Frecuencia MHz 15
Transistores equivalentes
- C1983-O, C1983-O/Y, C1983O(TRANS), C1983Y, C1984(TRANS)
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de potencia media
- Equipos informáticos
- La radio
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
