Diferencia entre revisiones de «Mosfet IRF840»
| Línea 36: | Línea 36: | ||
! Fabricantes | ! Fabricantes | ||
! Logo | ! Logo | ||
| + | |- | ||
| + | |[[Motorola,Inc]] | ||
| + | |[[Image:MOTOROLA.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|- | |- | ||
|[[NXP Semiconductors]] | |[[NXP Semiconductors]] | ||
|[[Image:NXP.GIF|thumb|center|150px]] | |[[Image:NXP.GIF|thumb|center|150px]] | ||
| + | |- | ||
| + | |[[STMicroelectronics]] | ||
| + | |[[Image:SAMSUNG.GIF|thumb|center|150px]] | ||
| + | |- | ||
| + | |[[Samsung semiconductor]] | ||
| + | |[[Image:SAMSUNG.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|- | |- | ||
|[[International Rectifier]] | |[[International Rectifier]] | ||
| Línea 46: | Línea 55: | ||
|[[Image:Transys Electronics Limited.GIF|thumb|center|150px]] | |[[Image:Transys Electronics Limited.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|- | |- | ||
| − | |[[ | + | |[[Suntac Electronic Corp.]] |
|[[Image:SUNTAC.GIF|thumb|center|150px]] | |[[Image:SUNTAC.GIF|thumb|center|150px]] | ||
|- | |- | ||
| Línea 63: | Línea 72: | ||
== Fuente == | == Fuente == | ||
| − | *[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/52972/FAIRCHILD/ IRF840 | + | *[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/52972/FAIRCHILD/IRF840 alldatasheet.com] |
[[Category: Electrónica]] | [[Category: Electrónica]] | ||
Revisión del 14:33 9 nov 2011
| ||
MOSFET IRF840.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.
Sumario
Descripción
Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) | 800V |
| Corriente de Drenador (ID) | 5A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.850Ω |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 120W |
| Canal | N |
Fabricantes
Aplicaciones
- Reguladores conmutados
- Convertidores de conmutación
- Controladores de motor
- Conductores de relevo
