Diferencia entre revisiones de «Transistor BD119»
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Revisión del 11:21 31 ago 2012
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BD119. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Salida de alta tensión
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 325 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 300 Voltios
- De emisor a base (EBO) 6 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 40 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 20* (Watts)
- Frecuencia MHz 10 Min
Transistores equivalentes
- BD120, BD127, BD128, BD129.
Usos
- Fuentes estabilizadoras de voltaje
- Rectificadores de voltaje
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
