Transistor C1972

C1972 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China y otros países.

C1972. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.

Características

• Polaridad (N-P-N)
• Salida de potencia de RF
• Corriente máxima de colector (Ic) 3.5 Ampere
• De colector a base (CBO) 35 Voltios
• De colector a emisor (CEO) 17 Voltios
• De emisor a base (EBO) 4 Voltios
• Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
• Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 25* (Watts)
• Frecuencia MHz

Usos

• Equipos de medicina
• La radio

Fuente

• NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
• Imagen de Wikipedia.