Diferencia entre revisiones de «Transistor C1652M»
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*Low Noise Gen Purp Amp | *Low Noise Gen Purp Amp | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | ||
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*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.3 (Watts) |
*Frecuencia MHz 280 Min | *Frecuencia MHz 280 Min | ||
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== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*C1652M, C1652MP, C1652MQ, C1652MR, C1652RE(TRANS) | *C1652M, C1652MP, C1652MQ, C1652MR, C1652RE(TRANS) | ||
Revisión del 08:55 6 jun 2012
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C1652M . Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Low Noise Gen Purp Amp
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 Ampere
- De colector a base (CBO) 50 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 40 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 270 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.3 (Watts)
- Frecuencia MHz 280 Min
Transistores equivalentes
- C1652M, C1652MP, C1652MQ, C1652MR, C1652RE(TRANS)
Usos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
