MOSFET IRF840.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.
Descripción
Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
| Características
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Valor
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| Voltaje Drenador Surtidor (VDDS)
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800V
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| Corriente de Drenador (ID)
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5A
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| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
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0.850Ω
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| Potencia Total de Disipación ( PD)
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120W
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| Canal
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N
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Fabricantes
Aplicaciones
- Reguladores conmutados
- Convertidores de conmutación
- Controladores de motor
- Conductores de relevo
Enlace externo
Fuente
