Diferencia entre revisiones de «IRFP350»
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Revisión del 13:24 23 sep 2019
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IRFP350. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO218
- Conmutador de Potencia
- Corriente de Drenador Ic: 16 Ampere
- Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 400 Voltios
- Voltaje máximo fuente - puerta (Uds): 20 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): 150 °C: -
- Máxima disipación de potencia (Pd): 180 Watt
- Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.3
Usos y aplicaciones
- Conmutación de alta corriente y alta velocidad
- Convertidores DC-AC para equipos de soldadura
