Transistor KC1008-Y

KC1008-Y
Información sobre la plantilla
BD115.jpeg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

KC1008-Y. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Es un transistor de salida de audio y video con una corriente máxima de 1 ampere con una disipación en colector de 0.8 watts, el mismo consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Salida de audio y video
  • Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
  • De colector a base (CBO) 140 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 7 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 90 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.8 (Watts)
  • Frecuencia MHz 100 Min

Diagrama

Diagram 21.jpg

Posición en el diagrama

  • Inciso (a)

Usos

Fuentes

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.