IRF740
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IRF740. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad, convertidores, Suministro de energía ininterrumpida (UPS).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO 220
- Conmutador de Potencia
- Corriente de drenador Ic: 10 Ampere
- Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 400 Voltios
- Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150
- Máxima disipación de potencia (Pd): 125 Watt
Usos y aplicaciones
- Circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
- Convertidores
