2SA1306. Es un transistor bipolar de potencia, compuesto por silicio, unió PNP Producido en China por la compañía Inchange Semiconductor, aunque otras empresas tienen sus versiones como Motorola, Inc, New Jersey Semi-Conductor, Savantic, Inc, y Quanzhou Jinmei Electronic entre otras
Partes que lo componen
Consiste en la unión de cristales semiconductores con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones P-N-P, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. En sus versiones podemos encontrar además del 2SA1306 cuyos datos se muestran, al 2SA1306A y 2SA1306B los cuales varían un poco sus características haciéndoles más potentes respectivamente. Concebido fundamentalmente para driver amplificación de audio.
Transistor 2SA1306 |
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Pines del 2SA1306 |
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Características
- Polaridad (P-N-P)
- Corriente máxima de colector (Ic) 15A Ampere
- Corriente máxima de base (Ib) 0.15 A
- Voltaje de colector a base (CBO) 160V (Voltios)
- Voltaje de colector a emisor (CEO) 160V
- Voltaje de emisor a base (EBO) 5 V
- Máxima potencia 20 W
- Temperatura de trabajo -55 a +150 grados
Usos
- Equipos de medicina
- Equipos informáticos
- Equipos de audiofrecuencia
- La radio
Fuentes
