IRF820. Es un transistor MOSFET de canal N de mediana potencia, incluye un diode en inversa entre las uniones de sumidor(S) y drenador(D). Producido por la empresa estadounidense Motorola, aunque otras compañías también tiene versiones de este como la Samsung semiconductor, Fairchild Semiconductor, Intersil Corporation, Suntac Electronic Corp. Y la Inchange Semiconductor entre otras. Por su aplicación en circuitos de audio, osciladores y de conmutación, es muy utilizado.
Transistor Mosfet IRF820A |
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distribución de terminales IRF820 |
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Características
- MOSFET canal N
- Corriente de drenaje (ID) 2.5A Ampere
- Corriente pulsante de drenaje (IDM) 10A
- Voltaje de fuente de drenaje (V DSS) 500V (Voltios)
- Potencia máxima de disipación 40 W
- Temperatura de trabajo -55 a +150 grados centígrados
Usos
Fuentes
