Transistor 30F124
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Transistor 30F124 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto voltaje y alta corriente.
Descripción
30F124 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto voltaje y alta corriente que se utiliza para aplicaciones de electrónica de potencia. Conectados en paralelo se han utilizado para los circuitos de accionamiento de los paneles de visualización de plasma. Desarrollado por la firma de componentes electrónicos Toshiba. Su encapsulado es de tipo TO-220SIS
Principales características
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje colector emisor (Vce): 300V
Voltaje colector emisor en saturación (Vces): 2.3V
Corriente del colector pulsante máxima (Ic): 200A
Disipación total del dispositivo (Pc): 25W
Temperatura de operación máxima: 150°C
Aplicaciones
Se usa comúnmente para el control de motores eléctricos, conversión de corriente alterna a corriente continua, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas de inducción, paneles de visualización de plasma (PDP) y flashes estroboscópicos.
Enlaces externos
https://datasheetgo.com/30f124-datasheet/
http://www.datasheetcafe.com/30f124-datasheet/
https://alltransistors.com/es/igbt/transistor.php?transistor=2560
https://www.tesladelta.cl/transistores/981-30f124.html
Fuentes
Vinod Kumar Khanna. Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design, Wiley 2003
B. Jayant Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer US 1996
