Ver el código de «IRFP4468»

{{Ficha Hardware
|nombre = IRFP4468
|imagen = IRFP4468.jpg
|pie = [[Transistor MOSFET Canal N, Pines y Simbología]]
|conn1 = A otros componentes electrónicos}} 
'''IRFP4468'''. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
== Partes que lo componen ==
*Fuente (S, Source)
*Drenador (D, Drain)
*Puerta (G, Gate)
== Características ==
*Material: metal-óxido-semiconductor
*Polaridad: canal N
*Encapsulado: TO247AC
*Conmutador de Potencia
*Corriente de Drenador Ic: 290 [[Ampere]] 
*Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 100 Voltios
*Voltaje máximo fuente - puerta (Ugs): 20 Voltios
*Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: -
*Máxima disipación de potencia (Pd): 520 [[Watt]]
*Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.0026

 
== Usos y aplicaciones ==
* Conmutación de alta corriente y alta velocidad
* Convertidores DC-AC para equipos de soldadura 
== Fuentes ==
* http://alltransistors.com
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]