Diferencia entre revisiones de «Transistor C2021»
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*De colector a [[emisor]] (CEO) 40 ltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 40 ltios | ||
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | ||
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*Frecuencia MHz 180 Min | *Frecuencia MHz 180 Min | ||
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*C2021M, C2063M | *C2021M, C2063M | ||
Revisión del 09:07 6 jun 2012
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BC2021. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Low Noise Gen Purp Amp
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 Ampere
- De colector a base (CBO) 50 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 40 ltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 270 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.3 (Watts)
- Frecuencia MHz 180 Min
Equivalentes
- C2021M, C2063M
Usos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
