Diferencia entre revisiones de «Transistor C112 (PNP)»
(Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = C112(PNP) | imagen = | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{ban...') |
|||
| (No se muestran 5 ediciones intermedias de 4 usuarios) | |||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
{{Ficha Hardware | {{Ficha Hardware | ||
| nombre = C112(PNP) | | nombre = C112(PNP) | ||
| − | | imagen = | + | | imagen = 2N15.jpeg |
| pie = [[Transistor]]. | | pie = [[Transistor]]. | ||
| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. | ||
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | ||
}}<div align=justify> | }}<div align=justify> | ||
| − | '''C112(PNP) '''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. | + | '''C112 (PNP) '''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. |
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | ||
| Línea 13: | Línea 13: | ||
*Salida de video, audio y driver | *Salida de video, audio y driver | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 1 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 1 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 80 Voltios |
| − | *De colector a | + | *De colector a emisor (CEO) 80 Voltios |
*De emisor a base (EBO) 7 Voltios | *De emisor a base (EBO) 7 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 90 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 90 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 1.25 (Watts) |
*Frecuencia MHz 100Min | *Frecuencia MHz 100Min | ||
| + | |||
== Transistores equivalentes == | == Transistores equivalentes == | ||
*C119, C201 | *C119, C201 | ||
== Usos == | == Usos == | ||
| − | *Amplificadores de audio | + | *Amplificadores de [[audio]] |
| − | *Equipos de medicina | + | *Equipos de [[medicina]] |
*Equipos informáticos | *Equipos informáticos | ||
| − | *Salida de video | + | *Salida de [[video]] |
| − | *La radio | + | *La [[radio]] |
| − | == | + | |
| + | == Fuentes == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 14:52 31 ago 2012
| ||||||||
C112 (PNP) . Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- Salida de video, audio y driver
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 80 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 7 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 90 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 1.25 (Watts)
- Frecuencia MHz 100Min
Transistores equivalentes
- C119, C201
Usos
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
