Diferencia entre revisiones de «Transistor C2021»
| (No se muestran 3 ediciones intermedias de 2 usuarios) | |||
| Línea 7: | Línea 7: | ||
}} | }} | ||
<div align=justify> | <div align=justify> | ||
| − | ''' BC2021 | + | ''' BC2021'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. |
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos. | ||
| Línea 14: | Línea 14: | ||
*Low Noise Gen Purp Amp | *Low Noise Gen Purp Amp | ||
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 [[Ampere]] | ||
| − | *De | + | *De colector a base (CBO) 50 Voltios |
*De colector a [[emisor]] (CEO) 40 ltios | *De colector a [[emisor]] (CEO) 40 ltios | ||
*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 270 Min | ||
| − | *Máxima | + | *Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.3 (Watts) |
*Frecuencia MHz 180 Min | *Frecuencia MHz 180 Min | ||
| + | |||
== Equivalentes == | == Equivalentes == | ||
*C2021M, C2063M | *C2021M, C2063M | ||
== Usos == | == Usos == | ||
| − | *La radio | + | *La [[radio]] |
| − | *Equipos de audio de baja potencia | + | *Equipos de [[audio]] de baja [[potencia]] |
| − | == | + | == Fuentes == |
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
| − | [[Category: Electrónica]] | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 14:47 31 ago 2012
| ||||||||
BC2021. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Low Noise Gen Purp Amp
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 Ampere
- De colector a base (CBO) 50 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 40 ltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 270 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.3 (Watts)
- Frecuencia MHz 180 Min
Equivalentes
- C2021M, C2063M
Usos
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
