Diferencia entre revisiones de «Transistor KC1008-Y»
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
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última versión al 16:19 31 ago 2012
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KC1008-Y. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Sumario
Partes que lo componen
Es un transistor de salida de audio y video con una corriente máxima de 1 ampere con una disipación en colector de 0.8 watts, el mismo consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Salida de audio y video
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 140 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 80 Voltios
- De emisor a base (EBO) 7 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 90 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.8 (Watts)
- Frecuencia MHz 100 Min
Diagrama
Posición en el diagrama
- Inciso (a)
Usos
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.

