Diferencia entre revisiones de «Transistor MJE13007»
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Revisión del 09:28 17 dic 2013
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Transistor MJE13007. Es un transistor de Silicio de Alta potencia y Voltaje , diseñado para aplicaciones de conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la Philips Semiconductors.
Sumario
Descripción
Es un transistor de silicio de alta potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.
Principales características
[[Image:|thumb|right|320px|Figura I.]]
- Voltaje colector emisor en corte 600V (Vceo)
- Corriente de colector constante 8A (Ic)
- Potencia total disipada 80W(Pd)
- Ganancia o hfe 35 mínima
- Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
- Encapsulado de metal TO-220
- Estructura NPN
En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.
Principales fabricantes
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
- SEME-LAB
- SIEMENS
- COMSET SEMICONDUCTOR
- SEMICOA SEMICONDUCTOR
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
Aplicaciones
- Inversores
- Fuentes de Computadoras
- Aplicaciones de conmutación
