Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SC945»
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| − | *Corriente de corte colector (ICBO) = 100 na a VCB = 40 V | + | *Corriente de corte de colector (ICBO) = 100 na a VCB = 40 V |
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*Ganancia de corriente directa hFE = 90 – 600 a VCE=6V, IC=1mA | *Ganancia de corriente directa hFE = 90 – 600 a VCE=6V, IC=1mA | ||
| − | hFE para el 2SC945 fabricado por NEC | + | hFE para el 2SC945 fabricado por NEC según la última letra |
*R = 90 - 180 | *R = 90 - 180 | ||
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== Usos == | == Usos == | ||
| − | Está designado principalmente para circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y circuitos de conmutación de baja velocidad. Se puede encontrar en etapas preamplificadoras, tonos, en | + | Está designado principalmente para circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y circuitos de conmutación de baja velocidad. Se puede encontrar en etapas preamplificadoras, tonos, en electrónica para la medicina y para autos. |
== Fabricantes == | == Fabricantes == | ||
última versión al 11:13 18 may 2016
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Transistor 2SC945. Transistor bipolar NPN de silicio (Si) de propósito general fabricado con tecnología planar epitaxial .
Sumario
Descripción
Un transistor de unión (BTJ) está compuesto por dos uniones PN, las que dividen el cristal de silicio en tres regiones, base (B), emisor (E) y colector (C), a cada una de estas regiones se le asocia un electrodo para su conexión y en condiciones de funcionamiento circulará por cada uno de ellos una corriente IE, IB, o IC, según se trate del emisor, de la base o el colector. La técnica Planar epitaxial empleada para la construcción del 2SC945 consiste en obtener la unión emisor-base por medio de tecnología planar, y la unión base-colector por medio de tecnología epitaxial. De su nombre el “2” nos dice que es un transistor, la “S” que la nomenclatura es japonesa, y la “C”, que es de alta frecuencia, de aquí que el comienzo “2S” no aporte mucha información e indistintamente se le encuentra como 2SC945 o C945. Después puede aparecer una letra que determina la ganancia de corriente directa (hFE), este grupo de letras cambia según el fabricante. Por ejemplo para la firma NEC son R, Q, P y K.
Este componente electrónico está encapsulado en plásticoTO-92 y su par complementario recomendado es el transistor PNP 2SA733.
Valores máximos a 25 grados C
| Parámetro | Símbolo | Valor |
|---|---|---|
| Voltaje colector base | VCBO | 60V |
| Voltaje colector emisor | VCEO | 50V |
| Voltaje emisor base | VEBO | 5V |
| Corriente de colector | Ic | 150 ma |
| Disipación de potencia | Ptot | 150 mw |
| Corriente de base | IB | 20 ma |
| Temperatura de trabajo | Tj | 125 grados C |
Otros parámetros a 25 grados C
- Corriente de corte de colector (ICBO) = 100 na a VCB = 40 V
- Corriente de corte de emisor IEBO = 100 na a VEB = 3 V
- Voltaje de saturación Colector emisor VCE(sat) desde 0,1 a 0.3 V
- Producto ganancia ancho de banda típico fT = 250 a VCE = 6 V, IC = 10 mA
- Ganancia de corriente directa hFE = 90 – 600 a VCE=6V, IC=1mA
hFE para el 2SC945 fabricado por NEC según la última letra
- R = 90 - 180
- P = 135 - 270
- Q = 200 - 400
- K = 300 - 600
Usos
Está designado principalmente para circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y circuitos de conmutación de baja velocidad. Se puede encontrar en etapas preamplificadoras, tonos, en electrónica para la medicina y para autos.
Fabricantes
Entre otros están
- NEC
- Micro Electronics
- Dc Components
- Unisonic Technologies
- TY Semiconductor Co., Ltd
- Guangdong Kexin Industries
- MAKO SEMICONDUCTOR
- Micro Commercial Component
Enlaces externos
Fuentes
- Ing. Gilberto García Santamaría, Electrónica Básica, Dispositivos electrónicos y sus aplicaciones. Pag 118-120
- Epitaxia
- Artículo en la Web Monografías.com
