Diferencia entre revisiones de «Transistor12007»
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'''Transistor MJE12007''', de fabricación China y comercializado a través de distintas firmas y tiendas como (AliExpress) o (SavantIC Semiconductor). | '''Transistor MJE12007''', de fabricación China y comercializado a través de distintas firmas y tiendas como (AliExpress) o (SavantIC Semiconductor). | ||
. Este transistor de mediana potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores y amplificadores, ya que posee una buena ganancia y respuesta en la frecuencia audible. | . Este transistor de mediana potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores y amplificadores, ya que posee una buena ganancia y respuesta en la frecuencia audible. | ||
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Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor [[silicio]]. Puede manejar corrientes hasta de 5 A (amperios) a tensiones altas hasta de 1500 v logrando hasta 80 w de potencia. puede utilizarse en circuitos osciladores o de conmutación en fuentes de corriente etc, sus características lo ubican usualmente en este tipo de funciones, aunque puede aparecer cumpliendo función de amplificación de audiofrecuencia. | Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor [[silicio]]. Puede manejar corrientes hasta de 5 A (amperios) a tensiones altas hasta de 1500 v logrando hasta 80 w de potencia. puede utilizarse en circuitos osciladores o de conmutación en fuentes de corriente etc, sus características lo ubican usualmente en este tipo de funciones, aunque puede aparecer cumpliendo función de amplificación de audiofrecuencia. | ||
== Principales características == | == Principales características == | ||
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*Voltaje emisor base 9 V (Vceo) | *Voltaje emisor base 9 V (Vceo) | ||
*Corriente de colector constante 2.5 A (IC) | *Corriente de colector constante 2.5 A (IC) | ||
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*Potencia total disipada 80 W (Pd) | *Potencia total disipada 80 W (Pd) | ||
*temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados | *temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados | ||
última versión al 11:12 27 feb 2018
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Transistor MJE12007, de fabricación China y comercializado a través de distintas firmas y tiendas como (AliExpress) o (SavantIC Semiconductor). . Este transistor de mediana potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores y amplificadores, ya que posee una buena ganancia y respuesta en la frecuencia audible.
Sumario
Descripción
Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor silicio. Puede manejar corrientes hasta de 5 A (amperios) a tensiones altas hasta de 1500 v logrando hasta 80 w de potencia. puede utilizarse en circuitos osciladores o de conmutación en fuentes de corriente etc, sus características lo ubican usualmente en este tipo de funciones, aunque puede aparecer cumpliendo función de amplificación de audiofrecuencia.
Principales características
- Voltaje colector emisor 750 V (Vceo)
- Voltaje colector Base 1500 V (Vceo)
- Voltaje emisor base 9 V (Vceo)
- Corriente de colector constante 2.5 A (IC)
- Corriente de colector pulsante 5 A (IC)
- Potencia total disipada 80 W (Pd)
- temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados
- Ganancia o hfe entre 3-25 (hfe)
- Estructura NPN
Principal fabricante
Aplicaciones
- Radiofrecuencia
- Aplicaciones de conmutación
- Aplicaciones en osciladores
Fuentes
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/271209/SAVANTIC/MJE12007.html
