Diferencia entre revisiones de «BAS16TT1G»
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== Principales características == | == Principales características == | ||
| − | Tensión inversa repetitiva máxima (Vr): 100V | + | *Tensión inversa repetitiva máxima (Vr): 100V |
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| − | Tensión directa máxima (Vf): 1.25V | + | *Tiempo de recuperación máxima inversa (trr): 6ns |
| − | + | *Corriente directa máxima transitoria (Ifsm): 500mA | |
| − | Tiempo de recuperación máxima inversa (trr): 6ns | + | *Potencia de disipación máxima (Pd): 360 mW |
| − | + | *Encapsulado: SOT-416 | |
| − | Corriente directa máxima transitoria (Ifsm): 500mA | ||
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| − | Potencia de disipación máxima (Pd): 360 mW | ||
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| − | Encapsulado: SOT-416 | ||
==Aplicaciones== | ==Aplicaciones== | ||
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==Enlaces externos== | ==Enlaces externos== | ||
| − | https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BAS16TT1-D.PDF | + | *https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BAS16TT1-D.PDF |
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== Fuente == | == Fuente == | ||
| − | Newark Electronics, Número 126. Cornell University.2009 | + | *Newark Electronics, Número 126. Cornell University.2009 |
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última versión al 16:27 29 ene 2019
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BAS16TT1G. Es un diodo semiconductor de conmutación de señal.
Descripción
BAS16TT1G es diodo semiconductor de conmutación de señal fabricado de silicio, desarrollado por la firma de componentes electrónicos ON Semiconductor diseñado para montaje superficial donde el reducido espacio de la placa impresa es muy importante. Este rectificador tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 150 °C. Su máxima corriente continua directa es de 0.2 A.
Principales características
- Tensión inversa repetitiva máxima (Vr): 100V
- Tensión directa máxima (Vf): 1.25V
- Tiempo de recuperación máxima inversa (trr): 6ns
- Corriente directa máxima transitoria (Ifsm): 500mA
- Potencia de disipación máxima (Pd): 360 mW
- Encapsulado: SOT-416
Aplicaciones
Este dispositivo electrónico se puede utilizar en la rectificación de alta velocidad como los receptores de radiofrecuencia, además dentro de las aplicaciones también se incluyen la conmutación de alta velocidad, protección contra polaridad invertida, y en la industria de las telecomunicaciones.
Enlaces externos
- https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BAS16TT1-D.PDF
- http://us.100y.com.tw/viewproduct.asp?MNo=15973
Fuente
- Newark Electronics, Número 126. Cornell University.2009
