Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N2222»
(→Descripción) (Etiquetas: Artículo sin Fuentes o Bibliografía o Referencias o Enlaces externos, Edición visual) |
|||
| (No se muestran 7 ediciones intermedias de 3 usuarios) | |||
| Línea 4: | Línea 4: | ||
|descripcion=Componente electrónico utilizado en equipos de amplificación y otras aplicaciones. | |descripcion=Componente electrónico utilizado en equipos de amplificación y otras aplicaciones. | ||
}} | }} | ||
| − | |||
'''Transistor 2N2222'''. Es un transistor de [[silicio]] y baja [[potencia]], diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la [[Philips Semiconductors]]. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes. | '''Transistor 2N2222'''. Es un transistor de [[silicio]] y baja [[potencia]], diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la [[Philips Semiconductors]]. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes. | ||
| − | == Descripción == | + | == Descripción: == |
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más | Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más | ||
comunes son los [[TO-92]],[[TO-18]],[[SOT-23]], y [[SOT-223]]. | comunes son los [[TO-92]],[[TO-18]],[[SOT-23]], y [[SOT-223]]. | ||
| − | == Principales características == | + | == Principales características: == |
| − | [[Image:Dimensiones.jpeg|thumb|right| | + | [[Image:Dimensiones.jpeg|thumb|right|320px|Figura I.]] |
*Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo) | *Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo) | ||
*Corriente de colector constante 800mA (Ic) | *Corriente de colector constante 800mA (Ic) | ||
| Línea 18: | Línea 17: | ||
*Encapsulado de metal TO-18 | *Encapsulado de metal TO-18 | ||
*Estructura NPN | *Estructura NPN | ||
| − | *Su complementario PNP es el 2N2907 | + | *Su complementario PNP es el [[Transistor 2N2907]] |
En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados. | En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados. | ||
| − | === Principales fabricantes === | + | === Principales fabricantes: === |
*[[FAIRCHILD SEMICONDUCTOR]] | *[[FAIRCHILD SEMICONDUCTOR]] | ||
*[[SEME-LAB]] | *[[SEME-LAB]] | ||
| Línea 29: | Línea 28: | ||
*[[SEMICOA SEMICONDUCTOR]] | *[[SEMICOA SEMICONDUCTOR]] | ||
*[[PHILIPS SEMICONDUCTORS]] | *[[PHILIPS SEMICONDUCTORS]] | ||
| − | == Aplicaciones == | + | |
| + | == Aplicaciones: == | ||
*Transmisores | *Transmisores | ||
*Amplificadores de [[HF]] y [[VHF]] | *Amplificadores de [[HF]] y [[VHF]] | ||
*[[Radiofrecuencia]] | *[[Radiofrecuencia]] | ||
*Aplicaciones de conmutación | *Aplicaciones de conmutación | ||
| − | == Fuente == | + | == Fuente: == |
*[http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N2222 alldatasheet.com] | *[http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N2222 alldatasheet.com] | ||
[[Category: Electrónica]] | [[Category: Electrónica]] | ||
| + | [[Category:Componentes electrónicos]] | ||
| + | [[Category: Electrónica]] | ||
| + | [[Category:Componentes electrónicos]] | ||
última versión al 00:39 18 may 2020
| ||||
Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia, diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la Philips Semiconductors. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes.
Sumario
Descripción:
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.
Principales características:
- Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
- Corriente de colector constante 800mA (Ic)
- Potencia total disipada 500mW(Pd)
- Ganancia o hfe 35 mínima
- Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
- Encapsulado de metal TO-18
- Estructura NPN
- Su complementario PNP es el Transistor 2N2907
En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.
Principales fabricantes:
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
- SEME-LAB
- SIEMENS
- COMSET SEMICONDUCTOR
- SEMICOA SEMICONDUCTOR
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
Aplicaciones:
- Transmisores
- Amplificadores de HF y VHF
- Radiofrecuencia
- Aplicaciones de conmutación
