Diferencia entre revisiones de «MPAS18»

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==Descripción==
 
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última versión al 15:10 24 sep 2020

MPAS18
Información sobre la plantilla
MPSA18.jpg
Transistor NPN

MPAS18. Transistor NPN de bajo nivel de ruido y alta ganancia de corriente.

Descripción

MPSA18 es un transistor NPN, de bajo nivel de ruido y alta ganancia de corriente, fabricado de silicio, diseñado para aplicaciones de propósito general.

Principales características

Voltaje colector emisor (Vce): 45 V

Voltaje colector base (Vcb): 45V

Voltaje emisor base (Veb): 6.5V

Corriente de colector (Ic): 200mA

Frecuencia de trabajo (fT): 100mHz

Rango de temperatura de trabajo (Tj): -55 a 150ºC

Potencia de disipación (Pd): 625mW

Reemplazos: BC847B, 2N5088G, LP395, BFS29, ECG47, 2N3904RLRE, BFS2, ECG4, MPS6428, MPS6428RLRA, 2N5088, 2N5089.

Encapsulado: TO-92

Aplicaciones

Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de propósito general, en la electrónica del hogar e industrial como: audio, televisión, fuentes de alimentación, equipos de comunicaciones y sensores de movimientos.

Enlaces externos

https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=42445

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MPSA18-D.PDF

https://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-pdf/view/5139/MOTOROLA/MPSA18.html

https://datasheetspdf.com/pdf-file/1115370/CentralSemiconductor/MPSA18/1

Fuente

Dale R. Patrick, Stephen W. Fardo. Understanding Semiconductor Devices: Concepts, Experiments, and Troubleshooting. Prentice Hall, 1989