Diferencia entre revisiones de «Transistor IRFP251»
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Revisión del 08:40 18 dic 2020
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IRFP251. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductorField-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación dealta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO3P
- Conmutador de Potencia
- Corriente de DrenadorIc: 30 Ampere
- Voltaje máximo drenador-fuente(Uds): 150 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): 150 °C:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 150 Watt
- Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.085
Usos y aplicaciones
- Conmutación dealta corriente y alta velocidad
- Convertidores DC-AC para equipos de soldadura
