Diferencia entre revisiones de «Transistor 2n5458»
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== Características == | == Características == | ||
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*Potencia máxima de disipación 310 mW | *Potencia máxima de disipación 310 mW | ||
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* https://html.alldatasheet.es/html-pdf/171213/ONSEMI/2N5458/215/1/2N5458.html | * https://html.alldatasheet.es/html-pdf/171213/ONSEMI/2N5458/215/1/2N5458.html | ||
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última versión al 17:13 14 jun 2024
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Transistor 2N5458. Transistor de propósito general de efecto de campo (JFET) de canal N de baja potencia. Al mirarlo de frente encontramos de izquierda a derecha la distribución de sus terminales 1 DRAIN (drenador) 2 SOURCE (sumidor) 3 GATE (compuerta). Producido por la empresa norteamericana ON Semiconductor, aunque otras tienen sus versiones como, New Jersey Semi-Conductor, Calogic, LLC, Intersil Corporation y Fairchild Semiconductor entre otras. Su par complementario es el 2N5457.
Características
- JFET canal N
- Drain- Source voltage (Vds) 25V
- Drain- Gate voltage (Vdg) 25V
- reverse Gate- Source voltage (V gsr) -25V
- Potencia máxima de disipación 310 mW
- Temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados
