Diferencia entre revisiones de «Transistor BRF91»
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Está compuesto por un encapsulado metálico con tres terminales, en todas sus versiones, aunque difieren de tamaño. 1 terminal colector de dimensiones mas alargadas, 2 terminal emisor (centro) y 3 terminal base distribuidos de izquierda a derecha en sentido de las manecillas del reloj y con polaridad NPN. | Está compuesto por un encapsulado metálico con tres terminales, en todas sus versiones, aunque difieren de tamaño. 1 terminal colector de dimensiones mas alargadas, 2 terminal emisor (centro) y 3 terminal base distribuidos de izquierda a derecha en sentido de las manecillas del reloj y con polaridad NPN. | ||
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*Máxima potencia de salida -180 mW | *Máxima potencia de salida -180 mW | ||
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última versión al 17:20 14 jun 2024
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Transistor BRF91. Transistor de Alta frecuencia, compuesto por silicio, el cual puede operar en un rango de frecuencia de hasta 5 GHz RF. Manufacturado por la compañía Estado Unidense Microsemi Corporation, quien aporta mucho a los mercados aeroespacial y de defensa, otras también tiene sus versiones como Advanced Power technology o Vishay Siliconix entre otras.
Partes que lo componen
Está compuesto por un encapsulado metálico con tres terminales, en todas sus versiones, aunque difieren de tamaño. 1 terminal colector de dimensiones mas alargadas, 2 terminal emisor (centro) y 3 terminal base distribuidos de izquierda a derecha en sentido de las manecillas del reloj y con polaridad NPN.
Características
- Voltaje colector -base - 15 V
- Voltaje colector -emisor - 12 V
- Voltaje emisor- base - 3 V
- Máxima corriente de colector -350 mA
- Máxima potencia de salida -180 mW
- Temperatura de trabajo -65 a +150 grados
Usos
- Equipos de comunicaciones
Fuentes
https://html.alldatasheet.com/html-pdf/76253/MICROSEMI/BFR91/404/1/BFR91.html
