Diferencia entre revisiones de «Transistor c2053»
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Está compuesto por un encapsulado plástico con tres terminales, aunque existen versiones de encapsulado metálico. 1 terminal base, 2 terminal colector (centro) y 3 terminal emisor distribuidos de izquierda a derecha por ese orden y polaridad NPN. | Está compuesto por un encapsulado plástico con tres terminales, aunque existen versiones de encapsulado metálico. 1 terminal base, 2 terminal colector (centro) y 3 terminal emisor distribuidos de izquierda a derecha por ese orden y polaridad NPN. | ||
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* Voltaje colector -base - 40 V | * Voltaje colector -base - 40 V | ||
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*Máxima corriente de colector -300mA | *Máxima corriente de colector -300mA | ||
*Máxima potencia de salida -600 mW | *Máxima potencia de salida -600 mW | ||
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última versión al 17:20 14 jun 2024
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Transictor c2053. Transistor de Alta frecuencia, y de baja potencia, compuesto por silicio, el cual puede operar en un rango de frecuencia hasta 175 MHz. Manufacturado por la compañía Japonesa Mitsubishi Electric Semiconductor, aunque otras también tiene sus versiones como Linear Technology y Cypress Semiconductor entre otras.
Partes que lo componen
Está compuesto por un encapsulado plástico con tres terminales, aunque existen versiones de encapsulado metálico. 1 terminal base, 2 terminal colector (centro) y 3 terminal emisor distribuidos de izquierda a derecha por ese orden y polaridad NPN.
Características
- Voltaje colector -base - 40 V
- Voltaje colector -emisor - 17V
- Voltaje emisor- base - 4 V
- Máxima corriente de colector -300mA
- Máxima potencia de salida -600 mW
- Temperatura de trabajo -655 a +135 grados
Usos
- Televisión
- Equipos de comunicaciones
