Diferencia entre revisiones de «Diodos de potencia»
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'''Características''' | '''Características''' | ||
IFAV: 1A – 6000 A | IFAV: 1A – 6000 A | ||
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VRRM: 400 – 3600 V | VRRM: 400 – 3600 V | ||
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VFmax: 1,2V (a IFAVmax) | VFmax: 1,2V (a IFAVmax) | ||
| + | |||
trr: 10 µs | trr: 10 µs | ||
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=== Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast) === | === Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast) === | ||
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'''Características''' | '''Características''' | ||
IFAV: 30A – 200 A | IFAV: 30A – 200 A | ||
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VRRM: 400 – 1500 V | VRRM: 400 – 1500 V | ||
| + | |||
VFmax: 1,2V (a IFAVmax) | VFmax: 1,2V (a IFAVmax) | ||
| − | trr: 0,1 - 10 µs | + | |
| + | trr: 0,1 - 10 µs | ||
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'''Aplicaciones''' | '''Aplicaciones''' | ||
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*Conmutación a alta frecuencia (>20kHz). | *Conmutación a alta frecuencia (>20kHz). | ||
*Inversores. | *Inversores. | ||
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'''Características''' | '''Características''' | ||
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IFAV: 1A – 120 A | IFAV: 1A – 120 A | ||
| + | |||
VRRM: 15 – 150 V | VRRM: 15 – 150 V | ||
| + | |||
VFmax: 0,7V (a IFAVmax) | VFmax: 0,7V (a IFAVmax) | ||
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trr: 5 ns | trr: 5 ns | ||
'''Aplicaciones''' | '''Aplicaciones''' | ||
| + | |||
*Fuentes conmutadas. | *Fuentes conmutadas. | ||
*Convertidores. | *Convertidores. | ||
*Diodos de libre circulación. | *Diodos de libre circulación. | ||
*Cargadores de baterías. | *Cargadores de baterías. | ||
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=== Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión) === | === Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión) === | ||
'''Características''' | '''Características''' | ||
IFAV: 0,45A – 2 A | IFAV: 0,45A – 2 A | ||
| + | |||
VR: 7,5kV – 18kV | VR: 7,5kV – 18kV | ||
| + | |||
VRRM: 20V – 100V | VRRM: 20V – 100V | ||
| + | |||
trr: 150 ns | trr: 150 ns | ||
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=== Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente) === | === Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente) === | ||
'''Características''' | '''Características''' | ||
| − | IFAV: 50A – 7000 A | + | IFAV: 50A – 7000 A |
| − | VRRM: 400V – 2500V | + | |
| + | VRRM: 400V – 2500V | ||
| + | |||
VF: 2V | VF: 2V | ||
| + | |||
trr:10 µs | trr:10 µs | ||
'''Aplicaciones''' | '''Aplicaciones''' | ||
| + | |||
Aplicaciones de alta corriente. | Aplicaciones de alta corriente. | ||
==Véase también== | ==Véase también== | ||
| − | Diodos | + | [[Diodos]] |
| − | Diodo | + | [[Diodo]] |
==Fuentes== | ==Fuentes== | ||
* MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE | * MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE | ||
Revisión del 14:09 20 jul 2011
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Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
Sumario
Tipos de diodos de potencia
Diodos rectificadores para baja frecuencia
Características IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs
Aplicaciones
- Rectificadores de Red.
- Baja frecuencia (50Hz).
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)
Características IFAV: 30A – 200 A
VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs
Aplicaciones
- Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
- Inversores.
- UPS.
- Accionamiento de motores CA.
Diodos Schotkky
Características
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns
Aplicaciones
- Fuentes conmutadas.
- Convertidores.
- Diodos de libre circulación.
- Cargadores de baterías.
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)
Características IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones Aplicaciones de alta tensión.
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)
Características IFAV: 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.
Véase también
Fuentes
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
- Diodos
- ccpot.galeon.com
