Diferencia entre revisiones de «Transistor KT361A»

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Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas aceptoras de electrones, que forman las zonas P y un [[cristal]] con impurezas donadoras de electrones, que forma la zona N. El cristal de tipo N está colocado entre los dos cristales del tipo P. De cada uno de los cristales se extienden un [[electrodo]] al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.
  
 
Es un transistor de uso general y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.
 
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*Fabricante: Rusia
 
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*Polaridad: P-N-P  
 
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*Corriente máxima de colector: 100 mA  
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*Voltaje emisor base máximo: 4 Voltios  
 
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*Frecuencia máxima: 250 MHz
 
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== Fuentes ==
 
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última versión al 09:38 26 sep 2014

KT361A
Información sobre la plantilla
Transistor kt361A.JPG
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Rusia Rusia

Transistor KT361A. Transistor bipolar de uso general, de baja potencia, construido a base de silicio.

Estructura

Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas aceptoras de electrones, que forman las zonas P y un cristal con impurezas donadoras de electrones, que forma la zona N. El cristal de tipo N está colocado entre los dos cristales del tipo P. De cada uno de los cristales se extienden un electrodo al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.

Es un transistor de uso general y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.


Encapsulado

Características

  • Fabricante: Rusia
  • Polaridad: P-N-P
  • Corriente máxima de colector: 100 mA
  • Voltaje colector emisor máximo: 25 Voltios
  • Voltaje emisor base máximo: 4 Voltios
  • Frecuencia máxima: 250 MHz
  • Potencia colector máxima: 150 mW
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe): 20-90
  • Transistor complementario KT315

Usos

Fuentes

  • Manual del instrumentista. Editado por el Centro de Automatización Industrial. Cuba.
  • Transistores y diodos soviéticos. Libros y conferencias. Materia 10. La Habana.