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== Principales características ==
 
== Principales características ==
  
Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd): 125W  
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*Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd): 125W  
  
Tensión de ruptura drenaje fuente (Uds): 500V  
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Corriente continua de drenaje (Id): 8 A  
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*Corriente continua de drenaje (Id): 8 A  
  
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ºC  
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Capacidad de flujo (Cd): 610pF  
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*Capacidad de flujo (Cd): 610pF  
  
Resistencia drenaje fuente en el estado ON (Rds): 1.8 Ω  
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*Resistencia drenaje fuente en el estado ON (Rds): 1.8 Ω  
  
 
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== Aplicaciones ==
 
== Aplicaciones ==
  
Debido a su mayor nivel de integración y la simpleza de su proceso de fabricación, son muy  empleados en la [[electrónica digital]]. En muchos circuitos es esencialmente la de un [[interruptor]] gracias a la baja [[resistencia interna]] que posee,  así como en etapas de amplificación y de conmutación.
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Debido a su mayor nivel de integración y la simpleza de su proceso de fabricación, son muy  empleados en la [[electrónica digital]]. En muchos circuitos es esencialmente la de un [[Interruptor analógico|interruptor]] gracias a la baja [[resistencia interna]] que posee,  así como en etapas de amplificación y de conmutación.
 
 
  
 
==Enlaces externos==
 
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http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/ideias-dicas-e-informacoes-uteis/50-transistores/6597-irf440-ip511  
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*http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/ideias-dicas-e-informacoes-uteis/50-transistores/6597-irf440-ip511  
  
http://hlev.info/mosfet/transistor.php?transistor=2381  
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*http://hlev.info/mosfet/transistor.php?transistor=2381  
 
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*http://www.newark.com/international-rectifier/irf440/n-channel-mosfet-500v-8a-to-204aa/dp/06F8219
  
 
== Fuente ==
 
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Peter Bastian. Electrotecnia. Ediciones Akal, S.A, 2001.
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*Peter Bastian. Electrotecnia. Ediciones Akal, S.A, 2001.
 
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*Ruiz Robredo Gustavo A. Electrónica Básica para Ingenieros. Formato digital.
Ruiz Robredo Gustavo A. Electrónica Básica para Ingenieros. Formato digital.
 
 
   
 
   
  
 
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última versión al 14:01 12 ago 2019

MOSFET IRF440
Información sobre la plantilla
IRF440.jpg

IRF440. Es un Transistor MOSFET para ser utilizado en múltiples aplicaciones.

Descripción

IRF440 es un Transistor MOSFET de potencia canal N, (iniciales inglesas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), capaz de manejar una tensión máxima entre drenaje y fuente de 500V, y capaz de conducir una corriente de 5A. El dispositivo se suministra en el mercado en un encapsulado metálico de tipo TO-3.

Principales características

  • Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd): 125W
  • Tensión de ruptura drenaje fuente (Uds): 500V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ºC
  • Capacidad de flujo (Cd): 610pF
  • Resistencia drenaje fuente en el estado ON (Rds): 1.8 Ω

Equivalentes: 2SK1120, 2SK1527, BUZ45, FCA35N60,TK20J60P, SSH10N70.

Aplicaciones

Debido a su mayor nivel de integración y la simpleza de su proceso de fabricación, son muy empleados en la electrónica digital. En muchos circuitos es esencialmente la de un interruptor gracias a la baja resistencia interna que posee, así como en etapas de amplificación y de conmutación.

Enlaces externos

Fuente

  • Peter Bastian. Electrotecnia. Ediciones Akal, S.A, 2001.
  • Ruiz Robredo Gustavo A. Electrónica Básica para Ingenieros. Formato digital.